此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
0.6mm 薄型 — 特别适合薄型应用
印刷电路板印迹为 4mm2
低接通电阻
快速切换速度
应用
电池管理应用
电源管理功能
直流 - 直流转换器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 11（稳定）A，8.7（状态）A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | U-DFN2020 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 2.05mm |
| 长度 | 2.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 44 nC @ 8V |
