Infineon OptiMOS 系列双 N 沟道 MOSFET 的漏极至源电压为 60 V它具有较大源引线框架连接的优点,用于电线粘结, 200um 粘结线的电流高达 20A。
符合汽车 AEC Q101 规格
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 20 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | TDSON |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.026 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.2V |
每片芯片元件数目 | 2 |
晶体管材料 | Si |