the Infineon C7 超结 mosfet 系列是革命性的技术进步、可提供世界上最低的 rds (接通) / 封装、并且由于其低切换损耗、在整个负载范围内效率得到了提高。
650V 电压
革命性杰出的 r ds ( on ) /
减少输出电容( eoss )中存储的能量
降低栅极电荷 qg
通过使用更小的封装或减少使用、节省空间 零件
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 145 A |
最大漏源电压 | 700 V |
封装类型 | Pg- TO263 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.065 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
每片芯片元件数目 | 2 |