the Infineon ® 系列 n 沟道功率 mosfet 。它非常适用于无线充电、适配器和电信应用。该设备具有低栅极电荷（ q g ）、可减少切换损耗、而不会影响传导损耗。
通过 100% 雪崩测试
出色的耐热性能
无铅引线电镀
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 46 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | Tsdson -8 fl |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0099 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
