DiodesZetex 互补对增强模式 mosfet 设计用于最大程度降低通态电阻、同时保持卓越的切换性能、使其特别适用于高效电源管理应用。其栅 - 源电压为 6 v 、热功耗为 0.46 w 。
低输入电容
快速切换速度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 A，800 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT563 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 0.7 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | Si |
