DiodesZetex 生产的双 N 沟道 MOSFET，旨在最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON)) ，同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。具有切换速度快和输入/输出泄漏低的特点。超小型表面贴装，高达 2KV 的 ESD 保护。
超低导通电阻 栅极阈值电压低 输入电容低
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 封装类型 | SOT563 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅源电压 | 1.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
