Infineon FF6MR12W2M1 是 6 mΩ 半桥模块，带 CoolSiC MOSFET。此模块具有高度的自由度，适用于变频器设计人员。此模块具有更好的 DCB 材料导热性。
低切换损耗
低电感设计
高电流密度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | AG-EASY2B. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大栅阈值电压 | 5.55V |
