英飞凌 OptiMOS™ 6 N 沟道汽车 MOSFET 具有 40 V 漏源电压（VDS）和 100 A 漏电流（ID）。5 x 6 mm² SS08 无引线封装中采用 MOS 技术，具有最高质量水平和坚固性，适用于汽车应用。
OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFET
N 通道 - 增强模式
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
