Infineon P 通道小信号晶体管采用无铅引线电镀。MOSFET 的漏电流和漏-源电压分别为 -1.9 A 和 -60V。超低电阻值。工作温度 -55 °C 至 150 °C。
表面贴装技术
逻辑电平可用性
易于连接到微控制器装置 (MCU)
快速切换
雪崩耐量高
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 a |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
