Infineon 的最佳 mos n 通道功率功率式功率半导体器件旨在提高效率、功率密度和成本效益。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。
针对高性能 smp 进行了优化，例如 sync.rec 。
100% 雪崩
出色的耐热性能
n 通道
QualifiedaccordingtoJEDEC1 ）、用于目标应用
无铅引线电镀
符合 RoHS
卤素灯 - freeaccordingtoIEC61249 - 2-21
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 82 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0061 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
