the Infineon 600V coolmos ™ P7 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有极低的切换和传导损耗、使切换应用更高效、更紧凑且更凉爽。
显著减少切换和传导损耗
适用于硬切换和软切换
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
