Infineon 的 CoolMOS™ CE Power MOSFET 是一个高电压功率 MOSFET 的技术平台,它根据超级结原理(SJ)设计,旨在满足消费者的要求。
由于 FOM Rdson Qg 和 Eoss 极低,损耗极低。
非常高的交换坚固性。
易于使用/驱动。
无铅镀层,无卤模制化合物。
符合标准等级应用要求。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 2.4 A |
最大漏源电压 | 500 V |
封装类型 | SOT-223-3 |