Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术,它是根据超级连接( sj )原理设计的,由 Infineon 技术公司率先开发的。cool mos ™ P6 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和一流的创新。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 极低的损耗
非常高的换向坚固性
无铅镀层无卤模制化合物
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 12.5 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | Pg/hsof - 8 - 3 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.19. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 1.6V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | 硅 |