Infineon 功率 MOSFET 利用最新处理技术，实现每硅区域低接通电阻。此优势结合 HEXFET 功率非常适合闻名的快速切换速度和耐震设备设计，为设计人员提供极其高效和可靠的设备，适用于汽车和各种其他应用。
它是无铅的
它符合 RoHS 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.185 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
