Infineon 汽车 direct场 功率 mosfet 的最大漏极源电压为 60V ，直接 M4 封装内的最大连续漏极电流为 68A 。AUIRF7648M2 将最新的汽车 hex场 ® 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced ® 封装技术相结合，以实现低栅极电荷和最低通态电阻，封装尺寸仅为 so-8 且 0.7 mm 。当在制造方法和工艺方面遵循应用说明 a-1035 时， direct场 ® 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。direct场 ® 封装允许双面冷却，以最大限度地提高汽车电源系统中的热传递。
先进的工艺技术
经优化可用于汽车电动机驱动器、直流 - 直流和其他大负载应用
低 rds （接通）、可提高效率
重复雪崩能力、确保坚固性和可靠性
无铅、 rohs 和无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 68 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | Direct场 (m) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 9 |
| 最大漏源电阻值 | 0.007. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.9V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
