优点：
4.5V VGS 时低 RDS（接通）
完全雪崩电压和电流特征
超低栅极阻抗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SO |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 18.2 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.25V |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.2 nC @ 4.5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5mm |
| 宽度 | 4mm |
