Infineon 62 mΩ 1200 v 、 6 μ m 半桥模块，带有 cool sic ™ mosfet 。
高电流密度
低切换损耗
卓越的栅极氧化物可靠性
高稳定性、防潮
坚固的集成主体二极管、从而实现最佳热条件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 250 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | Ag- 62mm |
| 安装类型 | 螺丝安装 |
| 最大漏源电阻值 | 5.81 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.45V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
