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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET

订 货 号:BSC014N04LSATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET
产品详细信息

新的 40V 和 60V 产品系列,不仅具有业内最低的 R DS(on),还具有完美的切换行为,适用于快速切换应用。新的 40V 和 60V 产品系列,通过采用高级薄芯片技术,使 R DS(on) 和品质因数 (R DS(on) x Q g) 较可替代器件分别下降 15% 和 31%,不仅具有业内最低的 R DS(on),还具有完美的切换行为,适用于快速切换应用。通过采用高级薄芯片技术,使 R DS(on) 和品质因数 (R DS(on) x Q g) 较可替代器件分别下降 15% 和 31%

经优化可用于同步整流
R DS(on) 较可替代设备减少 15%
FOM 较类似器件提高 31%
集成式肖特基二极管
无卤
优点:
最高系统效率
所需并联减少
功率密度增加
系统成本降低
非常低的电压过冲
目标应用:
同步整流
太阳能微型变频器
隔离直流-直流转换器
电动机控制
Or-ing 开关


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 TDSON
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 1.9 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2V
最小栅阈值电压 1.2V
最大功率耗散 96 W
晶体管配置
最大栅源电压 20 V
长度 5.15mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V
宽度 6.15mm
每片芯片元件数目 1
暂无
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