the Infineon coolmos ™ ce 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ ce 适用于硬切换和软切换应用，作为现代超级结，它可提供低传导和切换损耗，从而提高效率并最终降低功耗。
由于 fom rdson*qg 和的极低损耗 eoss
非常高的换向坚固性
易于使用 / 驱动
符合 edec 标准、无铅电镀、无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 15.1 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | To － 220 fullpak |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.4. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
