the Infineon 500V coolmos ™ ce 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率半导体，设计符合超结（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先推出。它提供快速切换 superjunction mosfet 的所有优点 同时不会牺牲易用性和
提供市场上最佳的低成本性能比。
非常高的换向坚固性
易于使用 / 驱动
无铅电镀、无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | 至 220 fullpak |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.95 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
