the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器 r g
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | To -220 fullpak 宽爬电距离 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 180 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
