英飞凌 CoolMOS C7 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由英飞凌技术开创。此系列将领先的超结 MOSFET 供应商的经验与高级创新结合在一起。600V C7是有史以来第一个RDS（接通）A低于1Ohm*mm²的技术。 它适用于硬质和软质切换（PFC 和高性能 LLC）。它的MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns，并提高了效率。
通过降低开关损耗实现更高的系统效率
功率密度增加的解决方案得益于由于较小的封装
适用于服务器、电信和太阳能等应用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
