英飞凌制造的增强模式的P沟道型晶体管被广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS-P 小信号晶体管，其超级逻辑电平为2.5V（额定）。工作温度为150°C。它具有雪崩和 dv /dt 等级。它是无铅电镀的、无卤素。
VDS 为-20 V，RDS（接通），最大550 mΩ，Id 是 -0.63 A
最大功耗为500mW
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 630 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-323 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
