Infineon 设计用于满足高电压 MOSFET 领域不断增长的消费需求，最新的 950V CoolMOS ™ P7 技术专注于低功率 SMPS 市场。与前代产品 900V CoolMOS ™ C3 相比， 950V CoolMOS ™ P7 系列提供 50V 的阻塞电压，在效率，热行为和易用性方面提供卓越的性能。与所有其他 P7 系列成员一样， 950V CoolMOS ™ P7 系列随附集成齐纳二极管 ESD 保护。集成二极管显著提高了 ESD 的稳定性，从而减少了与 ESD 相关的产量损失并达到卓越的的易用性级别。CoolMOS ™ P7 设计采用 3V 杰出 VGS (th) 和仅 ± 0.5V 的窄容差，易于驱动和设计。
3V 的杰出 VGS (th) 和 ±0.5V 的最小 VGS (th) 变化
集成齐纳二极管 ESD 保护，高达 2 类 (HBM)
杰出质量和可靠性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 950 V |
| 封装类型 | PG-TO 220 FP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.12. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 4 |
