the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。最新 coolmos P7 是一款优化平台、专为消费市场中的成本敏感型应用而定制、如充电器、适配器、照明、电视等。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优势、 结合出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。
它具有出色的热行为
集成 esd 保护二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | Pg 至 252-3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
