Infineon coolsic ™ 1700 v 、 650 mΩ sic mosfet 采用 6-263-7 高爬电距离封装，经优化可用于连接到直流链路电压 600 v 到 1000 v 的辅助电源，适用于多种电源应用。
针对回弹拓扑进行了优化
极低切换损耗
12 v / 0 v 栅 - 源电压与回飞控制器兼容
完全可控的 dv/dt 、用于 emi 优化
smd 封装、具有增强的爬电距离和间隙距离、 > 7 mm
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 7.4 A |
| 最大漏源电压 | 1700 V |
| 封装类型 | TO-263-7 |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 650 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
