the Infineon C7 超结 mosfet 系列是革命性的技术进步、可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装、并且由于其低切换损耗、在整个负载范围内效率得到了提高。
650V 电压
革命性杰出的 r ds （ on ） /
减少输出电容（ eoss ）中存储的能量
降低栅极电荷 qg
通过使用更小的封装或减少使用、节省空间 零件
12 年超结技术制造经验
改进的安全裕度、适用于开关电源和太阳能 变频器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度
卓越的 cool mos ™
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 49 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | PG-TO252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.9 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
