英飞凌制造的这款SIPMOS 小信号晶体管是 N 沟道型衰减模式小信号 MOSFET 晶体管，广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是 dv /dt 额定器件。提供卷筒上的 V GS（th）指示灯和无铅引线镀层。
提供卷筒上的 VGS（th）指示灯
无铅镀层
最大功耗为360mW
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA |
| 最大漏源电压 | 250V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
