Infineon 60V ， N 沟道， 10.2 兆欧汽车 MOSFET 采用 OptiMOS 5 技术，适用于 60V MOSFET ，采用工业标准 S3O8 5 mm x 6 mm 小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDSon ， QG 和栅极电容，并最大程度减少传导和开关损耗。
用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
N 通道，增强模式，正常级别
认证范围超过 AEC-Q101 标准
增强型电气测试
坚固的设计
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
经过 100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 47 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TDSON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
