Infineon 碳化硅 MOSFET 减少系统复杂性。它可直接从回程控制器驱动。提高效率和减少冷却工作。支持更高频率。
非常低的开关损耗；
短路耐受时间 3 μs；
完全可控制 dV/dt；
基准门临界电压，VGS(th) = 4.5V；
耐寄生接通，可应用
0V 关闭门电压；稳定的主体二极管，可用于硬切换；
XT 互连技术，提供同类最佳的热性能；
封装弯曲和间隙距离 >6.1mm；
感应引脚，用于优化切换性能
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | PG-TO263-7 |
| 安装类型 | 通孔 |
