Infineon 600V cool mos P7 超结 mosfet 可在设计过程中继续兼顾高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos 7th 发电平台固有的低栅极电荷（ qg ）可确保其高效率。
它具有坚固的主体二极管
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
