Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通过在待机和完全操作中实现最高功率密度和能效,提供基准解决方案。它提供 0.45 m Ω 的漏极源通态电阻。
最高效
SuperSO8 封装中具有最高功率密度
降低整体系统成本
符合 RoHS
无卤素
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 479 A |
最大漏源电压 | 25 V |
封装类型 | TDSON |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.00045 Ω |
最大栅阈值电压 | 1.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |