the the the the the the the the the the the the 英飞凌公司的 100V 最佳 mos ™功率式功率半导体器件为高效、高功率密度的开关电源提供了卓越的解决方案。与下一代最佳技术相比、此系列的 r ds （ on ）和 fom （品质因数）均降低了 30% 。
出色的切换性能、全球最低 r ds （ on ）
非常低的 Q g 和 Q gd
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
符合 rohs 标准 - 无卤
MSL1 等级 2
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 137 a |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 个月 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
