Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超联 MOSFET（IPN60R2K0PFD7S）是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充。此产品系列专为超高功率密度以及最高效率设计而设计。
由于 FOM RDS（on）*Qg 和 RDS（on）*Eoss 极低，损耗极低
低切换损耗 Eoss，出色的热性行为
快速主体二极管
各式各样的 RDS（on）和封装型号
集成齐纳二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | SOT-223-3 |
