the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封装,特别适用于高功率开关电源中的谐振拓扑,例如服务器、电信和 ev 充电站,在那里可以显著提高效率。作为 CFD2 sj mosfet 系列的后续产品、它与竞争对手相比、具有更低的栅极电荷、更好的关闭行为和高达 69% 的反向恢复电荷。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同类杰出的 rds (接通) / 封装
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 38 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 55 米Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |