Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。最新的 cool mos ™ P7 是一款经过优化的平台，专为消费市场中的成本敏感型应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等
由于 fom rds （接通） *qg 和 rds （接通） *eoss 极低的损耗
产品验证符合dec 标准
低切换损耗（ eoss ）
集成 esd 保护二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | Pg 到 220 fullpak |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.9. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
