Wolfspeed 在 SiC 技术方面的领先地位得到了扩展、在新的低电感离散封装中引入了 Advanced SiC MOSFET 技术。新推出的封装使工程师能够充分利用最新 C3MTM 平面 MOSFET 芯片的高频功能。设计人员可以通过从基于硅的三层拓扑转变为更简单的两层拓扑来减少组件数量、这是由于交换性能的提高而得以实现的。此设备具有低接通电阻和低栅极电荷、非常适合三相、无桥接 PFC 拓扑以及交流 - 交流转换器和充电器。
在整个工作温度范围内、最小值为 1200V VBR
新低阻抗封装，带驱动器源
>漏极和离子源之间有 7 毫米的渗漏 / 间隙
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，具有低 RDS（接通）
快速固有二极管，具有低反向恢复（反向恢复电荷）
易于并行且易于驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 75 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.6V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 113.6 瓦 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V 、 19 V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 长度 | 10.23mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 常闭 @ 4/15V |
| 宽度 | 9.12mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
