Infineon 高度创新的 OptiMOS™ 系列包括带超级逻辑电平的增强模式 mosfet。它具有雪崩和 dv/dt 等级。它提供快速切换。该设备无铅和无卤。Vds 是 -20 V，Rds（on）是 1.2 Ω，ID 是 -0.39 A。
始终满足高质量和性能要求
具有出色的通态电阻和优势特性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 390 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
