Infineon P-Channel Power MOSFET 提供设计灵活性和易操作性，以满足最高性能要求，包括 -12V 系列产品，特别适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低电压驱动应用。
P 通道
超低导通电阻 RDS（on）
100% 通过崩溃测试
逻辑电平或正常电平
增强型
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23-3 |
