the Infineon 600V coolmos ™ P6 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率半导体，设计符合超结（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先推出。它可用于 pfc 级、硬切换 pwm 级和谐振切换级、例如 pc silverbox 、适配器、 lcd 和 pdp tv 、照明、服务器、电信和 ups 。
mosfet dv/dt 稳定增加
非常高的换向坚固性
易于使用 / 驱动
无铅电镀、无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 13.8 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
