Infineon 800V cool mos P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求、因此非常适合低功率的开关电源应用。它主要用于回飞应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。与之前的产品以及在典型回飞应用中经过测试的竞争产品相比、此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 dak r ds ( on )产品实现更高的功率密度设计。总体而言、它可帮助客户节省 bom 成本并减少装配工作量。
杰出的 fom r ds ( on ) *
减少 qg 、 c is 和 c oss
杰出的 dak r ds ( on ) of 280mΩ
杰出的 v ( gs ) 3V 和最小的 v ( gs ± 0.5 v
集成齐纳二极管 esd 保护、高达 2 类( hbm )
杰出的质量和
完全优化的产品组合
0.1% 至 0.6% 效率增益和 2°c 至 8°c 更低 mosfet 温度与 cool mos ™ C3 相比
实现更高的功率密度设计、 bom 节省和更低的装配成本
易于驱动和设计
通过减少与 esd 相关的故障、提高生产率
减少生产问题并减少现场退货
易于选择合适的部件、用于微调设计
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 7 A |
最大漏源电压 | 800 V |
封装类型 | Pg 至 251 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.75 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
每片芯片元件数目 | 4 |