the Infineon 600V CoolMOS CFD7 n 通道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术,适用于高电压功率的高功率功率半导体,设计符合超结( sj )原理,并采用了 Infineon 技术。
超快主体二极管
低栅极电荷
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进的 mosfet 反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 稳定
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 18 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.125 Ω |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |