Infineon CoolSiC 1200 V、40 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-3 封装,采用最先进的沟槽半导体工艺,是性能与可靠性的良好结合,包括在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和设备电容水平,内部换向证明体二极管无反向恢复损耗。CoolSiC MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑结构和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。
VDSS - T - 25°C 时为 1200 V
IDCC - T - 25°C 时为 55 A
RDS(on) - VGS - 18 V、T - 25°C 时为 39 MΩ
非常低的切换损耗
短路耐受时间 3 微秒
基准门限电压,VGS(th) - 4.2 V
对寄生性开启的稳健性,可应用 0V 的关断门电压
用于硬换向的稳健体二极管
XT 互连技术实现了同类最佳的热性能
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 55 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |