Infineon ® 线性场效应管是一种革命性的方法、可避免通态电阻( r ds ( on ))与线性模式功能之间的取舍、即在增强型模式 mosfet 的饱和区域内运行。它提供最先进的沟道 mosfet r ds ( on )以及经典平面 mosfet 的宽安全工作区域。
低 r ds ( on )和宽安全工作区域的组合 ( soa )
高最大脉冲电流
高连续脉冲电流
坚固的线性模式操作
低传导损耗
更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的启动 时间
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 105 A |
最大漏源电压 | 150 V |
封装类型 | Pg- TO263 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.0083 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.9V |
每片芯片元件数目 | 2 |