Infineon OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET mΩ V , 1.05 M Ω , 330 A ,采用 SSO8 封装。Infineon 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V 采用 SuperSO8 封装 ISC010N06NM5 ,在 25˚C 和 175˚C 时提供低通态电阻 RDS ,以及高达 330 A 的高连续电流Infineon 的 OptiMOS ™ MOSFET 采用 SuperSO8 封装,扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品系列,不仅提高了坚固性,还能实现更高的功率密度,从而满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 Qrr 可显著降低过冲电压,从而最大程度减少对减震器电路的需求,从而降低工程成本和工作量,从而提高系统可靠性。
经优化可用于同步整流
通过 100% 雪崩测试
出色的耐热性能
N 通道
175°额定电流
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
由于源互连扩大,焊接点可靠性更高
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 39 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | PG-TSON-8-3 |
安装类型 | 表面贴装 |