英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 25 V 漏源电压(VDS)和 82 A 漏电流(ID)。提供基准解决方案,可在待机和全操作下实现最高功率密度和能效。它具有同类最佳的接通电阻,可广泛用于台式机和服务器、高功率密度电压调节器等。
经优化,用于高性能降压转换器
低接通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V
100% 雪崩测试
优异的热阻性
N 沟道
针对目标应用,符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
符合 IEC61249-2-21 标准无卤素
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 82 A |
最大漏源电压 | 25 V |
封装类型 | PG-TDSON |
安装类型 | 表面安装器件 |