Infineon IGBT 模块 FET 类型为 4 个 N 通道(半桥),可在 1200V 漏源电压和 100A 连续漏极电流下工作。
底盘安装
-40°C 至 150°C 工作温度
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 100 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | AG-EASY1B-2 |
安装类型 | 螺丝安装 |
最大漏源电阻值 | 0.0113 Ω |
最大栅阈值电压 | 5.55V |
晶体管材料 | SiC |