Infineon 700V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级接线技术相比,具有基本的性能提升,可满足低功率的开关电源市场的需求,例如手机充电器或笔记本电脑适配器。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。最新的 coolmos ™ P7 是一款针对消费市场中的成本敏感型应用(如充电器、适配器、照明、电视等)定制的优化平台
由于极低的 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss ,损耗极低
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗( eoss )
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 12.5 A |
最大漏源电压 | 700 V |
封装类型 | SOT-223 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.36. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |