Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它采用 SuperSO8 封装,可提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件,从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装,提供优质产品。
逻辑级别可用性
极佳的热行为
通过 100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 97 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | SO8 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.0054 O , 0.0071 O |
最大栅阈值电压 | 2.3V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |