英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 ThinPAK 8x8 封装,特别适合工业应用中的谐振拓扑,如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站,相比竞品效率显著提高。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继承者,它的栅电荷更少、关闭行为得到改善、反向恢复电荷更少以及额外 50 V 击穿电压,可实现最高效率和功率密度。
相比竞品,显著降低切换损耗
额外安全余量,增加母线电压
工业 SMPS 应用中,全负载效率更高
高功率密度
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 17 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | ThinPAK |
安装类型 | 表面贴装 |